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一、中頻電源的優(yōu)勢(shì)

（1）IGBT中頻電源是一種采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)熔煉爐，它的逆變器件為一種新型IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管，德國生產(chǎn)），它主要用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節(jié)能、高次諧波污染低等優(yōu)點(diǎn)。

（2）IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達(dá)到滿功率輸出，并且始終保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所有IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V，所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小，對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。

（3）節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面：

A、逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。

B、功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個(gè)工作過程功率因數(shù)始終大于0.98，無功率損耗小。

（4）高次諧波干擾：高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時(shí)可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，會(huì)嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致其他設(shè)備無法正常工作，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分 采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在最高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。

（5）恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素?zé)龘p少，降低鑄造成本。

二、中頻電源的I注意事項(xiàng)

(1)IGBT 管由于有漏柵寄生電 容的密勒效應(yīng),能引起意外的尖峰電壓損害管子,所以應(yīng) 用時(shí)讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負(fù)面影響;

(2) 柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì) IGBT 的開通過程,驅(qū) 動(dòng)脈沖的波形有很大影響.應(yīng)用時(shí)應(yīng)綜合考慮;

(3)應(yīng)采 用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率,從而抑制器

(4)在工作 件的 dv/d 和 ce的峰值,達(dá)到短路保護(hù)的目的; 電流較大的情況下,為了減小關(guān)斷過電壓,應(yīng)盡量減小主 電路的布線電感,吸收電容器應(yīng)采用低感型.